招標(biāo)公告
本招標(biāo)項目等離子增強氣相沉積系統(tǒng)、硅基等離子體刻蝕機、InP基等離子體刻蝕機、GaAs基等離子體刻蝕機招標(biāo)人為華中光電技術(shù)研究所（武漢），招標(biāo)項目資金來自國撥資金，出資比例為**0%。該項目已具備招標(biāo)條件，現(xiàn)對等離子增強氣相沉積系統(tǒng)、硅基等離子體刻蝕機、InP基等離子體刻蝕機、GaAs基等離子體刻蝕機進行國內(nèi)公開招標(biāo)。
2. 項目概況與招標(biāo)范圍
2.1 招標(biāo)編號：ZKX********A**2
2.2招標(biāo)項目名稱：等離子增強氣相沉積系統(tǒng)、硅基等離子體刻蝕機、InP基等離子體刻蝕機、GaAs基等離子體刻蝕機
2.3 數(shù)量：
等離子增強氣相沉積系統(tǒng) 1臺
硅基等離子體刻蝕機 1臺
InP基等離子體刻蝕機 1臺
GaAs基等離子體刻蝕機 1臺
2.4 設(shè)備用途：
1）等離子增強氣相沉積系統(tǒng)：等離子增強氣相沉積系統(tǒng)主要借助微波或射頻源使含有薄膜組成原子的氣體在局部形成等離子體，利用等離子體的強化學(xué)活性發(fā)生反應(yīng)，從而在基片上沉積出預(yù)期的薄膜，具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質(zhì)量好等優(yōu)點。本儀器可沉積氧化硅、氮化硅等材料，能夠?qū)崿F(xiàn)對沉積厚度的精確控制，還可以通過改變反應(yīng)氣體組分在一定范圍內(nèi)調(diào)節(jié)沉積薄膜的折射率，可應(yīng)用于微納結(jié)構(gòu)中的抗腐蝕層、微納電子器件中的絕緣層、波導(dǎo)結(jié)構(gòu)等。
2）硅基等離子體刻蝕機：等離子體刻蝕機用于對半導(dǎo)體晶圓進行干法刻蝕微納加工，從而制作出設(shè)計好的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)圖案。其刻蝕過程是化學(xué)反應(yīng)和物理轟擊過程所共同作用的結(jié)果，其內(nèi)部包括兩套射頻電源，其中一套與腔室外纏繞的螺線圈相連，使線圈產(chǎn)生感應(yīng)耦合電場，腔室內(nèi)的刻蝕氣體在此電場作用下輝光放電產(chǎn)生高密度等離子體；另一套與腔室內(nèi)放置石英平臺和樣品的下方電極相連，用于產(chǎn)生偏置電壓，對等離子體進行加速使其定向作用于樣片表面，并將發(fā)生化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生揮發(fā)性的氣體，經(jīng)過排氣口排出，完成樣片刻蝕。等離子體刻蝕機對晶圓芯片結(jié)構(gòu)加工具有速率快、精度高、表面粗糙度小的優(yōu)點。硅基等離子體刻蝕機將用于硅光芯片研制過程中刻蝕光波導(dǎo)和光柵等結(jié)構(gòu)。
3）InP基等離子體刻蝕機：等離子體刻蝕機用于對半導(dǎo)體晶圓進行干法刻蝕微納加工，從而制作出設(shè)計好的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)圖案。其刻蝕過程是化學(xué)反應(yīng)和物理轟擊過程所共同作用的結(jié)果，其內(nèi)部包括兩套射頻電源，其中一套與腔室外纏繞的螺線圈相連，使線圈產(chǎn)生感應(yīng)耦合電場，腔室內(nèi)的刻蝕氣體在此電場作用下輝光放電產(chǎn)生高密度等離子體；另一套與腔室內(nèi)放置石英平臺和樣品的下方電極相連，用于產(chǎn)生偏置電壓，對等離子體進行加速使其定向作用于樣片表面，并將發(fā)生化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生揮發(fā)性的氣體，經(jīng)過排氣口排出，完成樣片刻蝕。等離子體刻蝕機對晶圓芯片結(jié)構(gòu)加工具有速率快、精度高、表面粗糙度小的優(yōu)點。InP基等離子體刻蝕機將用于InP基半導(dǎo)體激光器芯片研制過程中刻蝕光波導(dǎo)和光柵等結(jié)構(gòu)。
4）GaAs基等離子體刻蝕機：等離子體刻蝕機用于對半導(dǎo)體晶圓進行干法刻蝕微納加工，從而制作出設(shè)計好的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)圖案。其刻蝕過程是化學(xué)反應(yīng)和物理轟擊過程所共同作用的結(jié)果，其內(nèi)部包括兩套射頻電源，其中一套與腔室外纏繞的螺線圈相連，使線圈產(chǎn)生感應(yīng)耦合電場，腔室內(nèi)的刻蝕氣體在此電場作用下輝光放電產(chǎn)生高密度等離子體；另一套與腔室內(nèi)放置石英平臺和樣品的下方電極相連，用于產(chǎn)生偏置電壓，對等離子體進行加速使其定向作用于樣片表面，并將發(fā)生化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生揮發(fā)性的氣體，經(jīng)過排氣口排出，完成樣片刻蝕。等離子體刻蝕機對晶圓芯片結(jié)構(gòu)加工具有速率快、精度高、表面粗糙度小的優(yōu)點。GaAs基等離子體刻蝕機將用于GaAs基半導(dǎo)體激光器芯片研制過程中刻蝕光波導(dǎo)和光柵等結(jié)構(gòu)。
2.5 交貨地點：湖北武漢項目現(xiàn)場。
2.6 交貨期：合同簽訂后**個月內(nèi)。
3.投標(biāo)人資格要求
3.1 投標(biāo)人須具有獨立承擔(dān)民事責(zé)任能力的在中華人民共和國境內(nèi)注冊的法人或其他組織，具備有效的營業(yè)執(zhí)照或事業(yè)單位法人證書或其它營業(yè)登記證書。
3.2 本次招標(biāo)不接受聯(lián)合體投標(biāo)。
3.3 本次招標(biāo)不接受代理商投標(biāo)。
3.4 投標(biāo)人****年1月1日至開標(biāo)前一日（以合同簽訂時間為準）具有等離子增強氣相沉積系統(tǒng)、等離子體刻蝕機的同類型產(chǎn)品業(yè)績：
（1）上述2種產(chǎn)品均須提供同類型產(chǎn)品業(yè)績；
（2）每種產(chǎn)品須提供至少**份業(yè)績合同（同一業(yè)績中可同時包含上述兩種產(chǎn)品），業(yè)績均須附供貨合同必要部分（須包含合同首頁及蓋章頁或者簽署頁，合同中須有標(biāo)的物名稱，且有明確的簽訂時間）。
3.5 信譽要求：未被列入“信用中國”（www.creditchina.gov.cn）網(wǎng)站“記錄嚴重失信主體名單，須提供上述網(wǎng)站截圖證明或提供承諾書。
3.6投標(biāo)人必須向招標(biāo)代理機構(gòu)購買招標(biāo)文件并進行登記才具有投標(biāo)資格。
4.招標(biāo)文件的獲取
4.1 凡有意參加投標(biāo)者，請于****年8月**日至****年9月4日**時(北京時間)，登錄中國船舶電子招標(biāo)投標(biāo)平臺（https://www.csscbidding.com/）報名參與項目,需要下載費**0元（下載費發(fā)票聯(lián)系平臺開具），現(xiàn)場不予受理。如有疑問，請致電中國船舶電子招標(biāo)投標(biāo)平臺服務(wù)熱線**********轉(zhuǎn)1。
4.2招標(biāo)文件售賣
每套招標(biāo)文件售價人民幣 **0 元整，售后款項不予退還。潛在投標(biāo)人應(yīng)通過本鏈接:https://jskp.jss.com.cn/k.action?kpdm=5QCPZT&jh=**8或掃描下方二維碼支付招標(biāo)文件費用，支付后請自行提交電子發(fā)票申請(需再次進入鏈接或掃描二維碼點擊消費記錄后填寫開票信息)，電子發(fā)票將自動發(fā)送至申請時所填郵箱。潛在投標(biāo)人將付款憑證（形式不限）和發(fā)票發(fā)送郵件至zhaobiaobu@zonkex.com，經(jīng)招標(biāo)人(代理機構(gòu))確認后，才能獲得招標(biāo)文件的下載權(quán)限。
4.3 投標(biāo)人必須在中國船舶電子招標(biāo)投標(biāo)平臺注冊，否則無法投標(biāo)。（詳見中國船舶電子招標(biāo)投標(biāo)平臺相關(guān)說明）。
5.1投標(biāo)文件遞交的截止時間（投標(biāo)截止時間，下同）為****年9月**日9時**分，地點為北京市海淀區(qū)金溝河路與采石北路十字路口東南角**號大樓一層會議室。
5.2逾期送達的、未送達指定地點的或者不按照招標(biāo)文件要求密封的投標(biāo)文件，招標(biāo)人將予以拒收。
6.發(fā)布公告的媒介
本次招標(biāo)公告同時在 中招聯(lián)合招標(biāo)采購平臺、中國船舶電子招標(biāo)投標(biāo)平臺和中國招標(biāo)投標(biāo)公共服務(wù)平臺 上發(fā)布。
7. 聯(lián)系方式
招標(biāo)人：華中光電技術(shù)研究所（武漢）
地址：武漢市江夏區(qū)陽光大道**7號
郵編：******
聯(lián)系人：侯經(jīng)理
電話：**7-********
招標(biāo)代理機構(gòu)：中科信工程咨詢（北京）有限責(zé)任公司
地址：北京市海淀區(qū)金溝河路與采石北路十字路口東南角**號大樓
郵編： ******
聯(lián)系人：郗女士
電話：**9-********
項目負責(zé)人：王瑋
電話：**9-********
傳真：**0-********
電子郵件：zhaobiaobu@zonkex.com
****年8月**日
