| 標(biāo)的名稱 | 一種PVT法生長高純4H-SiC單晶的方法 | 項(xiàng)目編號 | ZL****TJ******8 |
| 掛牌開始時(shí)間 | ****-**-** | 掛牌截止時(shí)間 | ****-**-** |
| 專利所屬地 | 中國 | 專利類型 | 發(fā)明專利 |
| 專利號 | ************.1 | ||
| 授權(quán)日期 | ****-**-** | 到期時(shí)間 | ****-**-** |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 其他(電子核心產(chǎn)業(yè)) | ||
| 簡介 | 本發(fā)明公開了一種PVT法生長高純4H?SiC單晶的方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。在SiC晶體生長之前，對SiC襯底的Si面進(jìn)行電化學(xué)刻蝕預(yù)處理，具體為：將SiC襯底的Si面裸露，C面遮掩；襯底遮掩面連接石墨電極用作陽極，陰極選用石墨電極或鉑電極；陽極與陰極對稱放置，將SiC襯底置于電解液中，連接電源對襯底生長面進(jìn)行電化學(xué)刻蝕；將電化學(xué)刻蝕好的襯底繼續(xù)置于電解液中浸泡，再置于去離子水中浸泡超聲，最后用惰性氣體吹干。本發(fā)明提供的一種PVT法生長高純4H?SiC單晶的方法，在SiC晶體PVT法生長前，對SiC襯底的Si面進(jìn)行電化學(xué)刻蝕預(yù)處理，能夠提供更多的成核位點(diǎn)，降低4H在Si面成核能，為4H?SiC成核生長提供窗口，減少氮元素的吸收，穩(wěn)定高純4H?SiC單晶的生長。 | ||
| 擬轉(zhuǎn)讓/許可方式 | 擬交易底價(jià) | 入門費(fèi)加提成費(fèi)支付：采用入門費(fèi)和提成費(fèi)相結(jié)合的方式，其中入門費(fèi)為5萬元，提成費(fèi)按當(dāng)年度合同產(chǎn)品凈銷售額的5%提取。 | |
| 轉(zhuǎn)讓/許可方類型 | 認(rèn)證名稱 | 天津理工大學(xué) | |
| 注冊地址 | 注冊資本 |
| 轉(zhuǎn)讓/許可范圍 | 中國 | ||
| 受讓方資格條件 | 無 | ||
| 保證金要求 | 無需交保證金 | ||
