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轉(zhuǎn)讓/許可標(biāo)的基本情況
| 標(biāo)的名稱 | 一種PVT法生長(zhǎng)高純4H-SiC單晶的方法 | 項(xiàng)目編號(hào) | ZL****TJ******8 |
| 掛牌開(kāi)始時(shí)間 | ****-**-** | 掛牌截止時(shí)間 | ****-**-** |
| 專利所屬地 | 中國(guó) | 專利類型 | 發(fā)明專利 |
| 專利號(hào) | ************.1 |
| 授權(quán)日期 | ****-**-** | 到期時(shí)間 | ****-**-** |
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 其他(電子核心產(chǎn)業(yè)) |
| 簡(jiǎn)介 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種PVT法生長(zhǎng)高純4H?SiC單晶的方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。在SiC晶體生長(zhǎng)之前，對(duì)SiC襯底的Si面進(jìn)行電化學(xué)刻蝕預(yù)處理，具體為：將SiC襯底的Si面裸露，C面遮掩；襯底遮掩面連接石墨電極用作陽(yáng)極，陰極選用石墨電極或鉑電極；陽(yáng)極與陰極對(duì)稱放置，將SiC襯底置于電解液中，連接電源對(duì)襯底生長(zhǎng)面進(jìn)行電化學(xué)刻蝕；將電化學(xué)刻蝕好的襯底繼續(xù)置于電解液中浸泡，再置于去離子水中浸泡超聲，最后用惰性氣體吹干。本發(fā)明提供的一種PVT法生長(zhǎng)高純4H?SiC單晶的方法，在SiC晶體PVT法生長(zhǎng)前，對(duì)SiC襯底的Si面進(jìn)行電化學(xué)刻蝕預(yù)處理，能夠提供更多的成核位點(diǎn)，降低4H在Si面成核能，為4H?SiC成核生長(zhǎng)提供窗口，減少氮元素的吸收，穩(wěn)定高純4H?SiC單晶的生長(zhǎng)。 |
| 擬轉(zhuǎn)讓/許可方式 | | 擬交易底價(jià) | 入門(mén)費(fèi)加提成費(fèi)支付：采用入門(mén)費(fèi)和提成費(fèi)相結(jié)合的方式，其中入門(mén)費(fèi)為5萬(wàn)元，提成費(fèi)按當(dāng)年度合同產(chǎn)品凈銷售額的5%提取。 |
轉(zhuǎn)讓/許可方基本情況
| 轉(zhuǎn)讓/許可方類型 | | 認(rèn)證名稱 | 天津理工大學(xué) |
| 注冊(cè)地址 | | 注冊(cè)資本 | |
受讓方資格條件
| 轉(zhuǎn)讓/許可范圍 | 中國(guó) |
| 受讓方資格條件 | 無(wú) |
| 保證金要求 | 無(wú)需交保證金 |
更多信息請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：
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